HAST（Highly Accelerated Stress Test），中文全称为高加速应力试验，是一种广泛应用于半导体、电子元器件、封装材料及高可靠性电子产品领域的加速老化测试方法。它通过施加高温、高湿和高偏压等极端应力条件，快速激发产品潜在的失效机制，从而在短时间内评估其长期可靠性。
HAST试验是传统高温高湿偏压试验（THB, Temperature Humidity Bias）的升级版，具有更高的加速因子和更短的测试周期，已成为电子行业可靠性验证的重要手段之一。
HAST试验的目的
HAST试验的核心目标是：
加速暴露潜在缺陷：如封装材料吸湿、界面分层、金属腐蚀（特别是铝布线腐蚀）、漏电等；
评估产品在恶劣环境下的可靠性：模拟高湿高温环境对电子器件的影响；
缩短产品开发周期：相比常规温湿度试验，HAST可在几天内完成等效数月甚至数年的自然老化效果；
支持质量控制与工艺改进：用于筛选不良批次、验证新工艺或新材料的可靠性；
满足客户或行业标准要求：如汽车电子、工业控制、医疗设备等领域常要求进行HAST测试。
HAST试验的标准依据
HAST试验遵循多项国际和行业标准，主要包括：
JESD22-A110（JEDEC标准）
《Steady-State Temperature/Humidity/Bias Life Test – Unbiased Moisture Resistance – Accelerated Moisture Resistance Testing》
这是最权威的HAST测试标准，由JEDEC（联合电子设备工程委员会）发布，广泛用于半导体器件。IEC 60749-23
《Semiconductor devices – Mechanical and climatic test methods – Part 23: Damp heat, steady state (unsaturated)》
国际电工委员会标准，涵盖非饱和湿热和加压湿热测试。MIL-STD-883（美军标）
方法1004.14 “Moisture Resistance” 中也包含类似HAST的测试条件。AEC-Q100（汽车电子委员会标准）
对车载半导体器件的HAST测试有明确要求，通常用于Grade 1~3器件的可靠性验证。
HAST试验的失效机制
在HAST极端条件下，可能引发以下主要失效模式：
电化学腐蚀（Electrochemical Corrosion）
水汽侵入器件内部，在偏压作用下引发电解反应，导致铝金属化层腐蚀，造成开路或漏电。界面分层（Interface Delamination）
水汽渗透至芯片与塑封料、引线框架或钝化层之间的界面，引起粘接失效，破坏密封性。漏电流增加
湿气导致表面漏电路径形成，使器件绝缘性能下降。短路或开路
腐蚀产物堆积或金属迁移可能导致短路；严重腐蚀则导致开路。参数漂移
器件电气性能（如阈值电压、漏电流）发生不可逆变化。
HAST试验流程
1. 样品准备
选择代表性样品（通常为封装后的完整器件）；
进行初始电性能测试（Pre-condition Electrical Test），记录关键参数；
清洁表面，确保无污染物。
2. 装载与接线
将样品放入HAST试验箱；
若需施加偏压，连接测试夹具并通电；
确保样品之间留有足够间隙，避免冷凝水短路。
3. 设置参数
设定温度（如130°C）、压力（如2.0 atm）、湿度、测试时间；
选择偏压模式（Normal Bias / Unbiased）。
4. 启动测试
启动设备，逐步升温升压至设定值；
保持恒定条件，持续运行规定时间。
5. 测试结束
缓慢降压降温，防止热冲击；
取出样品，干燥处理（如60°C烘烤1小时）；
进行最终电性能测试（Final Electrical Test）。
6. 结果判定
对比前后电参数，判断是否超出规格；
进行失效分析（FA），如X-ray、SAT（超声扫描）、开封显微观察等；
若无参数失效且无物理损伤，则判定为“通过”。